Учени от Московския физико-технически институт в Долгопрудний и техни колеги от САЩ са създали уникални кондензатори от хафниев оксид (HfO2), които могат да се използват като клетки на свръхбърза и почти "вечна" флаш памет, съобщава БТА. Те са изградени..
